2013年08月14日10:23
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东芝代表董事社长田中久雄在8月7日的“2013年度经营方针说明会”上，介绍了该公司正在开发的3D NAND闪存“BiCS（Bit-Cost Scalable）”的量产计划。说明会结束后，田中在接受记者的集体采访时表示，BiCS的量产开始时间“尚未确定，但打算在本年度（2013年）末或下年度（2014年）初量产”。
田中在经营方针说明会上登台发言
田中强调了东芝的竞争优势，称BiCS的量产品“将实现其他竞争公司无法追随的非常小的芯片尺寸（面积）”。因此，对于8月6日宣布开始量产3D NAND的韩国三星电子，他表示“希望大家不要只抓表面上的量产晚了半年多这一点”。
在说明会的答记者问环节，田中对于东芝在未来NAND闪存技术开发竞争中的地位明确表示“充满信心”。他还说：“我们不仅一直在微细化方面领先，包括（其他）技术方面素在内，我们都非常有信心。”
田中称，东芝今后计划“在BiCS之前先向1Ynm工艺及1Znm工艺推进微细化”。“对于目前正在量产的19nm第2代的下一代，也已有望实现微细化，现在在芯片尺寸方面能够赶上甚至超越（三星发布的3D NAND）”，也就是说，“东芝的1Ynm～1Znm工艺产品就完全能够和三星的3D NAND抗衡”。
尽管东芝对继续实现NAND闪存的微细化有着非同一般的自信，但同时也承认“1Znm工艺之后将会迎来物理性极限”。因此，该公司打算在2015年前后正式转向3D NAND。（日经技术在线！ 供稿）
