人民网

人民网>>财经>>中日技术产业信息网

东芝计划量产3D NAND,誓言“打倒三星”

2013年08月14日10:23    

【新闻链接】

松下上市可耐零下40℃低温的镍镉充电电池

三星开始量产全球首款3D NAND闪存

富士胶片用超级计算机“京”探明锂电池中电解液反应过程

可穿戴式传感器:轻软胜于鸿毛

智能手机火爆,深圳周边出现触摸面板业务热潮

 

东芝代表董事社长田中久雄在8月7日的“2013年度经营方针说明会”上,介绍了该公司正在开发的3D NAND闪存“BiCS(Bit-Cost Scalable)”的量产计划。说明会结束后,田中在接受记者的集体采访时表示,BiCS的量产开始时间“尚未确定,但打算在本年度(2013年)末或下年度(2014年)初量产”。

田中在经营方针说明会上登台发言

田中强调了东芝的竞争优势,称BiCS的量产品“将实现其他竞争公司无法追随的非常小的芯片尺寸(面积)”。因此,对于8月6日宣布开始量产3D NAND的韩国三星电子,他表示“希望大家不要只抓表面上的量产晚了半年多这一点”。

在说明会的答记者问环节,田中对于东芝在未来NAND闪存技术开发竞争中的地位明确表示“充满信心”。他还说:“我们不仅一直在微细化方面领先,包括(其他)技术方面素在内,我们都非常有信心。”

田中称,东芝今后计划“在BiCS之前先向1Ynm工艺及1Znm工艺推进微细化”。“对于目前正在量产的19nm第2代的下一代,也已有望实现微细化,现在在芯片尺寸方面能够赶上甚至超越(三星发布的3D NAND)”,也就是说,“东芝的1Ynm~1Znm工艺产品就完全能够和三星的3D NAND抗衡”。

尽管东芝对继续实现NAND闪存的微细化有着非同一般的自信,但同时也承认“1Znm工艺之后将会迎来物理性极限”。因此,该公司打算在2015年前后正式转向3D NAND。(日经技术在线! 供稿)

(责编:值班编辑、庄红韬)

新闻查询  

新闻回顾

      搜索

产业/经营更多>>

能源/环境更多>>

机械/汽车更多>>

数码/IT更多>>

电子/半导体更多>>

工业设计更多>>