量子阱LED光學開關性能紀錄刷新
2026年11月11日07:40 | 來源:科技日報
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美國伊利諾伊大學厄巴納-香檳分校與聖母大學科學家合作,刷新了量子阱發光二極管(LED)光學開關性能的世界紀錄。他們研制的氮化鎵量子阱微型LED光調制帶寬達到2.75吉赫,功耗僅為25毫瓦,有望成為數據中心短距光互連中激光器的低功耗替代方案。相關論文發表於新一期《IEEE電子器件快報》。
數據中心約90%的通信屬於10米以內的短距通信。此類高頻通信目前多採用激光器,但激光器功耗較高、發熱量大。相比之下,LED具有低功耗優勢,更適合作為短距光互連的低能耗光源。
團隊聚焦氮化鎵量子阱LED,系統考察器件尺寸對開關速度和功耗的影響,制備了直徑從100微米到2微米的系列量子阱微型LED。結果顯示,尺寸並非越小越好。綜合帶寬、功耗與阻抗匹配等因素,直徑5微米的器件表現最佳,其光調制帶寬達到2.75吉赫。這一指標反映了LED在電信號驅動下切換光輸出的速度。
新研制的5微米量子阱微型LED不僅帶寬高、光功率穩定,而且能耗低、材料平台具備可擴展性,有望提升數據中心通信鏈路的速度與效率。
團隊表示,要實現高性能量子阱微型LED,需要准確識別導致器件性能損失的材料缺陷,並在制造前對材料與電學性能進行充分建模。這項成果基於系統的理論建模與實驗測試,為縮小光通信用LED器件尺寸提供了可參考的技術路線,5微米直徑也為構建緊湊型二維發射器陣列、讓每個發射器承載獨立數據流提供了可能。(記者劉霞)
(責編:楊虞波羅、陳鍵)
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