2013年03月28日08:58 來源：人民網-財經頻道
新能源
隨著中國的經濟快速發展，能源供應更顯緊張。因此，風能、太陽能和新能源汽車已成為政府大力倡導和推動的新興產業。
飛兆半導體技術營銷總監嚴宗福指出，已開發出的碳化硅器件，開關頻率為75kHz，比IGBT快3倍，開關速度不到20 ns，開關、傳導及驅動器損耗也很低。常溫下，15A及50A電流時的RDS(ON)分別為57mΩ和17mΩ，這樣，輸出功率可相應提高3倍。結溫為175℃，實際應用中，最高可達250℃。
他表示，上述優勢使碳化硅器件適合3kW∼幾十kW的新能源汽車、風能、光伏中央逆變器、家庭光伏設備及中央空調應用。2015年，SiC器件價格有望降到現在的50%。未來的目標是取代目前行業內廣泛使用的IGBT。此觀點也得到了羅姆工程師的認同。
不過，筆者注意到，已有幾家廠商開發出每個太陽能電池板后安裝一個微型光伏逆變器的方案，有的已通過了並網測試。這種方案的好處是，當一個太陽能電池板出現問題時，不會影響整體系統。而中央逆變器一旦出現問題，就會對電能轉換系統產生較大影響。因此，碳化硅器件的可靠性一定要有充分的保証。
飛兆展示了2kW輸出功率的碳化硅升壓電路方案與IGBT方案的對比，如圖14所示。碳化硅升壓電路中所用的電感和電容的數量和體積只是IGBT方案的1/3，散熱片也更小。這樣，導致PCB空間減小了，系統總成本也會隨之降低。
圖14 飛兆展示的2kW輸出功率的碳化硅升壓電路方案與IGBT方案的對比。碳化硅升壓電路中所用的電感和電容的數量和體積只是IGBT方案的三分之一，散熱片也更小。
圖15 羅姆正在開發的導通電阻1mΩ的碳化硅溝槽MOSFET的結構和特性
據羅姆展台工程師透露，公司正在開發突破導通電阻1mΩ的碳化硅溝槽MOSFET。與其他廠商不同的是，晶圓是在羅姆內部生產。碳化硅溝槽MOSFET的結構和特性如圖15所示。（日經技術在線！ 供稿）
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