【納米新技術】LSI篇：利用分子的自組織現象以低成本方法實現微細化

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在LSI相關的展示中，不使用高價曝光裝置即可推進微細化的技術引人關注。例如，東芝公司介紹了把利用高分子自組織現象形成微細圖案的DSA（Directed Self-Assembly）技術用於接觸孔的實例（圖10）。

圖10：DSA技術的制造流程 東芝展示了利用高分子自組織現象形成微細圖案的DSA技術。（圖片拍攝於東芝的展板）

通過在直徑70nm左右的接觸孔（引導模型）上涂布特殊高分子並實施加熱處理，成功地在整面300mm晶圓上將接觸孔直徑縮小到了25nm。利用高分子之間相互凝聚的性質，因此具備縮小后的接觸孔尺寸偏差小、形狀接近圓形的特點。東芝目前正在推進該技術的開發，爭取2016年前后應用於NAND閃存等。

面向2.5維的新技術亮相

不依賴微細化即可實現系統高集成化的2.5維及三維安裝技術方面也有新的要素技術亮相。富士膠片公司展出的可大量形成直徑60nm的微細通孔的2.5維及三維封裝用轉接板技術就是代表（圖11）。

圖11：將陽極氧化后的鋁板用於轉接板 富士膠片展出了採用陽極氧化鋁板的2.5維及三維封裝用轉接板技術。（圖片拍攝於富士膠片的展板）

作為2.5維及三維封裝用轉接板，此前有採用TSV（硅通孔）的硅轉接板以及可形成TGV（玻璃通孔）的玻璃轉接板。此次富士膠片的轉接板的特點是通孔直徑約為60nm，可縮小至TSV和TGV的1/100左右。通過使厚度為80μm的鋁基板實現陽極氧化，像蜂窩一樣形成大量在厚度方向貫通的、直徑約為60nm的通孔，然后採用鍍銅等工藝將銅嵌入其內部制造。（日經技術在線！ 供稿）