2014年07月31日08:51
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罗姆在“TECHNO-FRONTIER 2014”（7月23～25日，东京有明国际会展中心）上展出了两种Si制功率半导体新产品。分别为第二代超结MOSFET（SJ-MOSFET）产品以及兼具IGBT和SJ-MOSFET优点的功率MOSFET“HybridMOS”。
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第二代SJ-MOSFET的导通电阻值比第一代产品降低了40％。备有重视低噪声的“EN系列”和比EN系列栅电容低且开关损耗低的“KN系列”。EN系列适合重视降低噪声的电源电路，KN系列适合重视工作效率的电源电路。
EN系列方面，耐压600V的产品已从2013年下半年开始量产。另外，耐压650V的产品和耐压800V的产品正在开发，耐压650V的产品将于2014年内开始供货。KN系列已于2014年7月开始提供样品。
HybridMOS在低电流区域可以像SJ-MOSFET一样快速开关，导通电阻值也很低。在大电流区域，拥有跟IGBT相似的特性，不会发生热破坏等，能够正常工作。适用于从白色家电到AV设备乃至车载及工业设备等广泛用途的电源电路，将于2014年内开始量产。（作者：大下 淳一，日经技术在线！供稿）
