2014年02月25日08:21
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东芝的1Znm工艺相当于该公司目前正在量产的19nm第二代工艺的下一代工艺，该公司日前宣布，将于2014年夏初供货1Znm工艺NAND闪存样品，2014年度下半年（2014年10月以后）开始量产。为了使东芝四日市工厂第5厂房（一期）的已有设备支持1Znm工艺，东芝将进行400亿日元的设备投资。东芝将半导体及存储部门的2013财年全年设备投资计划定为1700亿日元，其中一部分将用于四日市工厂的微细化投资。
四日市工厂第5厂房
东芝19nm第一代工艺产品的字线半间距为19nm，位线半间距为26nm，而19nm第二代工艺产品的字线半间距为19nm，位线半间距微细化到了19.5nm。1Znm工艺的细节尚未公开，估计将在保持平面构造的情况下将字线半间距微细化至16nm左右。一般来说，在ArF液浸蚀刻的二次图形曝光技术中，半间距在加工上的极限是19nm，要想微细化至16nm左右，就必须使用ArF液浸的四次曝光技术，因此必须要投入新设备。
作为东芝的竞争对手，美光科技已于2013年7月样品供货16nm工艺的128Gbit产品，SK Hynix也从2013年11月开始全面量产16nm工艺64Gbit NAND闪存。与这两家厂商的动作相比，东芝在1Znm工艺产品的供货方面看起来是晚了约1年，但也有人指出，东芝通过改进电路设计技术，在同一代技术工艺下实现了比竞争对手更小的芯片面积。
另外，三星电子也在为生产层积存储单元的三维NAND闪存而努力。不过也有很多观点指出，从目前看，三维NAND闪存要在市场上站稳脚跟还需较长时间。在这种情况下，东芝决定致力于向平面型1Znm工艺微细化。不过，东芝仍打算量产三维NAND闪存“BiCS”，预定在目前正在建设厂房的四日市工厂第5厂房（二期）生产。（作者：木村 雅秀，日经技术在线！供稿）
