“碳纳米管与InGaZnO是绝配”，美大学试制成功501级环型振荡器

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美国南加州大学维特比工程学院（University of Southern California Viterbi School of Engineering）宣布，该校研究人员组合使用碳纳米管（CNT）TFT与氧化物半导体InGaZnO TFT，试制出了最大501级的环型振荡器以及逆变器电路、NAND电路、NOR电路等。有关论文已在学术杂志《自然通讯》（Nature Communications）上发表。

在贴有聚酰亚胺薄膜的PDMS树脂基板上形成CNT TFT与InGaZnO TFT的复合电路的示例。照片由南加州大学维特比工程学院教授周崇武提供。

由于可在柔性基板上制作电路，因此除了RFID之外，还有望应用于柔性有机EL显示器的背板、传感器、可穿戴终端、闪存及车载HUD（head-up display，平视显示器）等用途。

此次试制采用了以CNT TFT为p型晶体管、以InGaZnO TFT为n型晶体管形成互补电路的结构。501级的环型振荡器使用的TFT为1000个以上，其中约200个为CNT TFT。

另外，使用各20个CNT TFT和InGaZnO TFT在硬质基板上制作的电路，其载流子迁移率平均达到了11.8cm2/Vs。

开发出上述成果的南加州大学电子工程系周崇武教授表示，原来曾进行过将CNT TFT作为n型晶体管使用的研究，但进展不很顺利。所以后来考虑将作为n型晶体管工作的InGaZnO TFT与p型CNT TFT相结合。周崇武教授说，结果证明“的确是绝配”。（作者：野泽 哲生，日经技术在线！供稿）