别了SATA！SSD接口转战PCIe和NVMe

【新闻链接】

夏普的中小型液晶面板业务，成败要看IGZO的实力

“瞄准10年后”——引发电网变革的超高耐压器件

PCIe SSD：超高速半导体存储器用途由服务器扩大至个人电脑

从“穿”到“贴”，山形大学试制出超轻薄高性能有机电路

用纳米技术使秀发更飘逸，富士胶片涉足护发市场

SSD的接口很快会从SATA转为PCI Express（PCIe），最终采用NVM Express（NVMe）——在“2014三星固态硬盘全球峰会”（韩国首尔市，7月1～2日）上，三星电子展望道。

在此次活动中，三星发布了配备3D NAND闪存的高端个人电脑用SSD“Samsung SSD 850 PRO”。连续读取速度高达550MB（4.4Gbit）/秒，连续写入速度高达520MB（4.16Gbit）/秒，接近SSD标准接口SATA 3.0的最大数据传输速度（6Gbit/秒）。按照这样的趋势发展，接口的带宽早晚会成为SSD高速化的绊脚石。

因此，以服务器用途为中心，越来越多的设备开始采用比SATA带宽更大、延迟更低、拓展性更好的PCIe作为SSD接口。现在，大多数SSD采用的是最大数据传输速度为4Gbit/秒（单向）的PCIe 2.0接口，采用8Gbit/秒的PCIe 3.0的动向也开始出现。为支持PCIe 3.0的SSD进行了优化的接口NVMe也出现了普及的兆头。支持4条PCIe 3.0通道的NVMe的最大数据传输速度达到了4GB（32Gbit）/秒。

借助PCIe突破SATA的极限。演讲者是三星存储市场部副总裁Jim Elliott。

展示NVMe SSD的读取/写入速度高于SATA SSD。

3D NAND+NVMe是最强组合

三星存储市场部副总裁Jim Elliott在此次峰会上发表演讲，强调NVMe才是能使NAND闪存发挥其真正性能的接口。相比SATA，NVMe的数据传输速度可以增至其7倍（600MB/秒→4GB/秒），延迟可以缩短到1/3（10μs→3μs）。除此之外，Elliott还宣传了三星大力发展支持NVMe的SSD（NVMe SSD）的态度。

三星于2013年面向服务器/数据中心，推出了业内第一款NVMe SSD“Samsung SSD XS1715”。连续读取速度为3GB/秒，连续写入速度为1.4GB/秒。2014年3月，这款SSD得到了戴尔的服务器产品的采用。除此之外，三星还面向云服务，推出了运行功耗仅为6W的“Samsung SSD SM953”。

NVMe SSD使数据传输速度增至7倍，延迟缩短到1/3

面向数据中心的低功耗NVMe SSD

面向个人电脑的NVMe SSD“Samsung SSD SM951”也已经开始供货。配备这种SSD的个人电脑预计将于近期上市。连续读取速度为1.6GB/秒，连续写入速度为1GB/秒。

今后，在推广NVMe SSD的同时，三星还希望把自己率先投入量产的3D NAND闪存作为一项优势。原因是，与现行的平面型NAND相比，3D NAND在工作速度、擦写次数、耗电量等方面更胜一筹。“三星将活用3D NAND，继续保持在SSD行业的领导能力”（Elliot）。（作者：大下 淳一，日经技术在线！供稿）

发挥3D NAND“V-NAND”的高性能

利用3D NAND进一步巩固率先发展TLC（3bit/cell）、PCIe、NVMe的优势