東芝將於2014年夏初樣品供貨1Znm工藝NAND閃存

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東芝的1Znm工藝相當於該公司目前正在量產的19nm第二代工藝的下一代工藝，該公司日前宣布，將於2014年夏初供貨1Znm工藝NAND閃存樣品，2014年度下半年（2014年10月以后）開始量產。為了使東芝四日市工廠第5廠房（一期）的已有設備支持1Znm工藝，東芝將進行400億日元的設備投資。東芝將半導體及存儲部門的2013財年全年設備投資計劃定為1700億日元，其中一部分將用於四日市工廠的微細化投資。

四日市工廠第5廠房

東芝19nm第一代工藝產品的字線半間距為19nm，位線半間距為26nm，而19nm第二代工藝產品的字線半間距為19nm，位線半間距微細化到了19.5nm。1Znm工藝的細節尚未公開，估計將在保持平面構造的情況下將字線半間距微細化至16nm左右。一般來說，在ArF液浸蝕刻的二次圖形曝光技術中，半間距在加工上的極限是19nm，要想微細化至16nm左右，就必須使用ArF液浸的四次曝光技術，因此必須要投入新設備。

作為東芝的競爭對手，美光科技已於2013年7月樣品供貨16nm工藝的128Gbit產品，SK Hynix也從2013年11月開始全面量產16nm工藝64Gbit NAND閃存。與這兩家廠商的動作相比，東芝在1Znm工藝產品的供貨方面看起來是晚了約1年，但也有人指出，東芝通過改進電路設計技術，在同一代技術工藝下實現了比競爭對手更小的芯片面積。

另外，三星電子也在為生產層積存儲單元的三維NAND閃存而努力。不過也有很多觀點指出，從目前看，三維NAND閃存要在市場上站穩腳跟還需較長時間。在這種情況下，東芝決定致力於向平面型1Znm工藝微細化。不過，東芝仍打算量產三維NAND閃存“BiCS”，預定在目前正在建設廠房的四日市工廠第5廠房（二期）生產。（作者：木村 雅秀，日經技術在線！供稿）