2014年02月17日09:06
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東麗2014年2月12日宣布，採用單層碳納米管（CNT）制造的涂布型TFT獲得了較高的工作性能，載流子遷移率達到13cm2/Vs，電流的導通/截止比達到106。東麗表示，計劃2016年前后實現實用化。
東麗試制的單層CNT-TFT（攝影：東麗）
東麗在日本新能源產業技術綜合開發機構（NEDO）的項目中，進行著利用單層CNT與有機半導體的復合化開發涂布型TFT的研究。這是一種通過抑制單層CNT凝集，使溶液中的單層CNT實現均勻分散的技術。
提高單層CNT的半導體純度，載流子遷移率相應提高且偏差減小
除了前面提到的半導體復合化及均勻分散化技術之外，此次在制造TFT時還採用了技術研究聯盟單層CNT融合新材料研究開發機構（TASC）開發的、具有極高半導體純度的單層CNT。由此成功提高了TFT的載流子遷移率。
另外，通過利用這種單層CNT，還將TFT間的特性偏差降低到了原來的1/4。此前，材料中的金屬型單層CNT會使電極間發生短路，導致偏差增大，而此次大幅減小了短路的發生概率，從而減少了特性偏差。
東麗表示，將在2014年3月17∼20日舉行的第61屆應用物理學會春季學術演講會上發布此次的成果。（作者：野澤 哲生，日經技術在線！供稿）
