2013年01月31日12:35 来源：人民网-财经频道
FDSOI及新型MRAM备受关注
在各项技术发布中备受关注的也是瞄准移动产品及数据中心用途的晶体管技术及存储器技术。
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图3 新一代晶体管和存储器备受关注 SoC用晶体管技术方面，FinFET及其竞争技术FDSOI晶体管的相关演讲受到高度关注（a、b）。存储器方面，除了以代替SRAM及DRAM为目标的STT-MRAM之外，有关NAND闪存三维化的成果也吸引了很多听众（c、d）。 |
晶体管技术方面，英特尔发布的采用22nm工艺立体晶体管（FinFET）的移动产品用SoC技术吸引了很多听众。在个人电脑用微处理器领域长期掌握霸权的该公司，也因为在智能手机及平板电脑用处理器领域遇到美国高通等对手而陷入困难境地。英特尔在此次发布技术时强调，已实现了将SRAM的待机漏电流降至32nm工艺的1/5的“低功耗化”。
能否不使用会导致成本增加的立体晶体管，而采用现行平面晶体管继续推进SoC的微细化？意法半导体公司（ST）宣布，为这一问题给出答案的技术已实现量产化，这同样成了本届IEDM上晶体管技术方面的热门话题。这是一项用于移动产品用SoC的完全耗尽型SOI（fully depletedsilicon on insulator：FDSOI）技术。该公司称，可采用与现行Bulk CMOS类似的工艺技术及设计技术制造，而且能够获得FinFET同等程度以上的晶体管性能。
该技术已确定被ST的子公司瑞士ST-Ericsson的SoC“Novathor”的新一代平台采用。在会议首日晚上SOI Industry Consortium主办的技术研讨会上，ST公开了28nm工艺Novathor试制芯片的特性。该公司还同时预测称，通过采用FDSOI技术，可将平面晶体管的寿命延长至10nm工艺。
存储器方面，有两大焦点吸引了与会者。一个是与STT-MRAM（spin transfer torque MRAM）新型存储器相关的发布增加。该存储器具有非易失性、高速及擦写次数没有限制等出色特性，作为SRAM及DRAM的替代存储器而备受期待。东芝公司还公开了通过以STT-MRAM代替SoC混载的SRAM，将缓存功耗削减至1/3的推算结果，受到了与会者的广泛关注。
关于目前的存储器市场的主角——NAND闪存，在微细化逼近极限的背景下，能够解决这一问题的三维技术成了人们关注的焦点。韩国SK Hynix公司显示出了在该技术领域的影响力。该公司公开了采用一次形成40层存储器单元的方法实现大容量化的技术。计划最早于2013年下半年开始提供采用该技术的128Gbit左右的样品。三维NAND闪存即将迎来实用阶段。（日经技术在线！ 供稿）
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