半導體存儲器篇：爾必達破產意味著后DRAM時代到來

2012年半導體存儲器行業的最大新聞是，DRAM業界第三大廠商爾必達存儲器公司於2012年2月破產。爾必達是日本唯一一家DRAM企業，其一把手?本幸雄的鐵腕作風經常被媒體報道，該公司的破產給各方面都帶來了巨大沖擊。

爾必達的破產象征著DRAM支撐半導體產業增長的時代終結，后DRAM時代即將到來。長期以來一直與電腦一起增長的DRAM市場反映出了近年來電腦市場因智能手機和平板電腦的興起而停滯的情況，DRAM市場基本完全飽和。世界半導體貿易統計統計組織WSTS的2012年秋季半導體市場預測報告顯示，DRAM世界市場在2012年將比上年大幅下滑，2011∼2014年的平均增長率也將是負數。在這種環境下，爾必達本很難作為DRAM專業廠商生存下去。

爾必達存儲器於2012年2月27日申請適用日本的《公司更生法》。

DRAM不僅面臨著市場已經飽和的現實，還面臨著技術瓶頸。目前的主流看法是，到比現在量產的2xnm工藝先進2∼3代的15nm工藝，DRAM的微細化將停止。只是在市場飽和價格止跌的現狀下，各DRAM廠商不希望通過推進微細化來增加芯片供應量。估計今后，現存的少數廠商將以緩慢的速度推進微細化。並且，到微細化極限之后，採用TSV（硅通孔）的三維積層將成為DRAM增大容量和提高速度的主流技術。 后DRAM、后NAND接近實用化 在這種情況下，2012年，后DRAM存儲器的開發由原來的要素開發階段向實用階段邁進了一大步。具有象征意義的事件是，后DRAM存儲器的最有力候補——自旋注入磁化反轉方式磁阻隨機存儲器（STT-MRAM）進入實用階段。2012年11月，美國Everspin科技公司開始向限定的客戶提供64MbitSTT-MRAM的樣品，還計劃2013年面向SSD及RAID卡的緩存等進行量產，爭取2014年使這種產品的容量達到GB級。 其他廠商的STT-MRAM方面，東芝公司正與SK海力士公司進行合作開發，力爭2014年針對SSD的緩存等用途進行量產。東芝將在2012年12月的“IEDM 2012”上公布STT方式MRAM相關技術。韓國三星電子公司也於2011年收購了擁有大量STT-MRAM相關知識產權的美國Grandis公司，穩步推進開發。最快到2013年，這些知名存儲器廠商就能開始供應STT-MRAM樣品。 而NAND閃存方面，今年各廠商的大型產品發布很少。之前一直增長的NAND閃存市場最近也出現了低迷。2012年上半年，NAND閃存陷入大幅供應過剩，業內第二大廠商東芝在7∼9月甚至不得不減產30％。雖然來自智能手機及平板電腦的需求旺盛，但NAND閃存的平均配備容量小，因此各廠商並未決定加快微細化投資。 挑戰NAND閃存微細化極限的后NAND存儲器的開發也在穩步進行。2013年，東芝將開始樣品供貨定位於后NAND存儲器的兩種存儲器——三維NAND閃存“BiCS”和三維ReRAM（可變電阻式存儲器）。其中，三維ReRAM方面，東芝將在2013年2月舉行的“ISSCC 2013”上與SanDisk公司共同發表開發技術的詳細內容，並發布採用24nm工藝技術制造的32Gbit產品。32Gbit的存儲容量是目前在ISSCC上發布的新款非易失性存儲器中最大的。跟STT-MRAM一樣，用來取代NAND的ReRAM也正由過去的要素開發階段走向實用階段。 半導體存儲器技術的上述巨大模式變化將給2013年以后各存儲器廠商的經營環境帶來巨大影響。圍繞后DRAM存儲器和后NAND存儲器的企業間協作、合作及業務合並等活動將越來越活躍。