2013年04月23日09:04 来源：人民网-财经频道
缓冲层技术是GaN研究的起点
GaN的晶体生长曾经也是一大课题。关于这一材料，1986年名古屋大学教授赤崎勇（现任名城大学教授、名古屋大学名誉教授）等人采用“低温沉积缓冲层技术”，在蓝宝石基板上生长出了高品质GaN晶体，以此为突破口，该材料的研究取得了进展。以后来的GaN蓝色LED开发为契机，GaN的研发在世界各地活跃起来，技术开发快速推进。
发光元件方面，GaN被推广到了蓝光光盘装置用蓝紫色半导体激光器和白色LED用蓝色LED芯片，电子产品方面，移动体通信用基站及雷达用GaN类半导体高频功率元件实现了产品化。GaN功率开关元件应用了以前在高频功率元件中培育的技术，其研发动向从2005年前后开始备受关注。
GaN与SiC不同，是以不同种类的基板上的“异质外延生长”为基础发展起来的。目前，被认为最有力的GaN功率元件是“GaN-on-Si”功率元件，采用了在硅基板上实现异质外延生长的GaN。与高价SiC基板上制作的SiC功率元件不同，GaN-on-Si的成本竞争力很高。虽然同为宽带隙半导体，但SiC和GaN获得了不同的发展，这一点十分有趣。
SiC、GaN功率元件上市
目前，SiC及GaN成了新一代功率元件的最有力材料，世界各地都在进行研发，尽管数量要比硅元件少，但采用SiC和GaN的功率元件已开始出现在市场上。尤其是SiC制SBD，日本国内外的多家公司都在销售，其影响力正不断向电路技术人员渗透。实验室水平远远超过硅的高性能功率元件已被接连不断地试制出来。
从性价比、可靠性及产量等方面考虑，SiC、GaN功率元件要向硅制MOSFET及IGBT占支配地位的市场渗透，估计还需要一段时间。但目前多个应用领域都在验证这种元件的优点，包括通过采用SiC或GaN功率元件来大幅节省系统总体能耗及缩小尺寸等。
下次将介绍使用SiC的功率元件的特点、最新开发动向及应用事例等。（日经技术在线！ 供稿）
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