【纳米新技术】LSI篇：利用分子的自组织现象以低成本方法实现微细化

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在LSI相关的展示中，不使用高价曝光装置即可推进微细化的技术引人关注。例如，东芝公司介绍了把利用高分子自组织现象形成微细图案的DSA（Directed Self-Assembly）技术用于接触孔的实例（图10）。

图10：DSA技术的制造流程 东芝展示了利用高分子自组织现象形成微细图案的DSA技术。（图片拍摄于东芝的展板）

通过在直径70nm左右的接触孔（引导模型）上涂布特殊高分子并实施加热处理，成功地在整面300mm晶圆上将接触孔直径缩小到了25nm。利用高分子之间相互凝聚的性质，因此具备缩小后的接触孔尺寸偏差小、形状接近圆形的特点。东芝目前正在推进该技术的开发，争取2016年前后应用于NAND闪存等。

面向2.5维的新技术亮相

不依赖微细化即可实现系统高集成化的2.5维及三维安装技术方面也有新的要素技术亮相。富士胶片公司展出的可大量形成直径60nm的微细通孔的2.5维及三维封装用转接板技术就是代表（图11）。

图11：将阳极氧化后的铝板用于转接板 富士胶片展出了采用阳极氧化铝板的2.5维及三维封装用转接板技术。（图片拍摄于富士胶片的展板）

作为2.5维及三维封装用转接板，此前有采用TSV（硅通孔）的硅转接板以及可形成TGV（玻璃通孔）的玻璃转接板。此次富士胶片的转接板的特点是通孔直径约为60nm，可缩小至TSV和TGV的1/100左右。通过使厚度为80μm的铝基板实现阳极氧化，像蜂窝一样形成大量在厚度方向贯通的、直径约为60nm的通孔，然后采用镀铜等工艺将铜嵌入其内部制造。（日经技术在线！ 供稿）