2013年01月31日12:35 來源：人民網-財經頻道
FDSOI及新型MRAM備受關注
在各項技術發布中備受關注的也是瞄准移動產品及數據中心用途的晶體管技術及存儲器技術。
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圖3 新一代晶體管和存儲器備受關注 SoC用晶體管技術方面，FinFET及其競爭技術FDSOI晶體管的相關演講受到高度關注（a、b）。存儲器方面，除了以代替SRAM及DRAM為目標的STT-MRAM之外，有關NAND閃存三維化的成果也吸引了很多聽眾（c、d）。 |
晶體管技術方面，英特爾發布的採用22nm工藝立體晶體管（FinFET）的移動產品用SoC技術吸引了很多聽眾。在個人電腦用微處理器領域長期掌握霸權的該公司，也因為在智能手機及平板電腦用處理器領域遇到美國高通等對手而陷入困難境地。英特爾在此次發布技術時強調，已實現了將SRAM的待機漏電流降至32nm工藝的1/5的“低功耗化”。
能否不使用會導致成本增加的立體晶體管，而採用現行平面晶體管繼續推進SoC的微細化？意法半導體公司（ST）宣布，為這一問題給出答案的技術已實現量產化，這同樣成了本屆IEDM上晶體管技術方面的熱門話題。這是一項用於移動產品用SoC的完全耗盡型SOI（fully depletedsilicon on insulator：FDSOI）技術。該公司稱，可採用與現行Bulk CMOS類似的工藝技術及設計技術制造，而且能夠獲得FinFET同等程度以上的晶體管性能。
該技術已確定被ST的子公司瑞士ST-Ericsson的SoC“Novathor”的新一代平台採用。在會議首日晚上SOI Industry Consortium主辦的技術研討會上，ST公開了28nm工藝Novathor試制芯片的特性。該公司還同時預測稱，通過採用FDSOI技術，可將平面晶體管的壽命延長至10nm工藝。
存儲器方面，有兩大焦點吸引了與會者。一個是與STT-MRAM（spin transfer torque MRAM）新型存儲器相關的發布增加。該存儲器具有非易失性、高速及擦寫次數沒有限制等出色特性，作為SRAM及DRAM的替代存儲器而備受期待。東芝公司還公開了通過以STT-MRAM代替SoC混載的SRAM，將緩存功耗削減至1/3的推算結果，受到了與會者的廣泛關注。
關於目前的存儲器市場的主角——NAND閃存，在微細化逼近極限的背景下，能夠解決這一問題的三維技術成了人們關注的焦點。韓國SK Hynix公司顯示出了在該技術領域的影響力。該公司公開了採用一次形成40層存儲器單元的方法實現大容量化的技術。計劃最早於2013年下半年開始提供採用該技術的128Gbit左右的樣品。三維NAND閃存即將迎來實用階段。（日經技術在線！ 供稿）
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