三星開始量產全球首款3D NAND閃存

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三星電子（Samsung Electronics）8月6日宣布，已開始量產全球首款三維單元構造的NAND閃存“Vertical NAND（V-NAND）”。該產品可用於消費類電子產品及工業設備的嵌入式NAND存儲器和SSD。

V-NAND採用（將電荷存儲在氮化膜裡的）電荷捕獲式三維單元構造。單元堆疊層數為24層，採用三星自主開發的蝕刻技術，一次性完成所有開孔加工，降低了制造成本。據稱能夠實現現行20nm工藝浮柵型平面NAND閃存2倍以上的集成度，此次的量產產品的單芯片容量達到128Gbit。另外，與10nm工藝的浮柵型NAND閃存相比，可將工作可靠性提高至2∼10倍，寫入速度提高至2倍。三星表示，將來還有望實現Tbit級別的大容量化。

現行的平面型NAND閃存在微細化的同時浮柵間距變得非常小，單元間的干擾問題越來越嚴重。作為超越微細化極限的技術，以三星及東芝為首的NAND閃存企業開始推進3D NAND閃存的開發，而三星率先開始量產。此次三星公布量產消息后，估計各大NAND閃存企業很可能會將3D NAND的量產日程提前。（日經技術在線！ 供稿）