主角不只是SiC和GaN，羅姆開始提供Si功率半導體新產品

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羅姆在“TECHNO-FRONTIER 2014”（7月23∼25日，東京有明國際會展中心）上展出了兩種Si制功率半導體新產品。分別為第二代超結MOSFET（SJ-MOSFET）產品以及兼具IGBT和SJ-MOSFET優點的功率MOSFET“HybridMOS”。

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第二代SJ-MOSFET的導通電阻值比第一代產品降低了40％。備有重視低噪聲的“EN系列”和比EN系列柵電容低且開關損耗低的“KN系列”。EN系列適合重視降低噪聲的電源電路，KN系列適合重視工作效率的電源電路。

EN系列方面，耐壓600V的產品已從2013年下半年開始量產。另外，耐壓650V的產品和耐壓800V的產品正在開發，耐壓650V的產品將於2014年內開始供貨。KN系列已於2014年7月開始提供樣品。

HybridMOS在低電流區域可以像SJ-MOSFET一樣快速開關，導通電阻值也很低。在大電流區域，擁有跟IGBT相似的特性，不會發生熱破壞等，能夠正常工作。適用於從白色家電到AV設備乃至車載及工業設備等廣泛用途的電源電路，將於2014年內開始量產。（作者：大下 淳一，日經技術在線！供稿）