“碳納米管與InGaZnO是絕配”，美大學試制成功501級環型振蕩器

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美國南加州大學維特比工程學院（University of Southern California Viterbi School of Engineering）宣布，該校研究人員組合使用碳納米管（CNT）TFT與氧化物半導體InGaZnO TFT，試制出了最大501級的環型振蕩器以及逆變器電路、NAND電路、NOR電路等。有關論文已在學術雜志《自然通訊》（Nature Communications）上發表。

在貼有聚?亞胺薄膜的PDMS樹脂基板上形成CNT TFT與InGaZnO TFT的復合電路的示例。照片由南加州大學維特比工程學院教授周崇武提供。

由於可在柔性基板上制作電路，因此除了RFID之外，還有望應用於柔性有機EL顯示器的背板、傳感器、可穿戴終端、閃存及車載HUD（head-up display，平視顯示器）等用途。

此次試制採用了以CNT TFT為p型晶體管、以InGaZnO TFT為n型晶體管形成互補電路的結構。501級的環型振蕩器使用的TFT為1000個以上，其中約200個為CNT TFT。

另外，使用各20個CNT TFT和InGaZnO TFT在硬質基板上制作的電路，其載流子遷移率平均達到了11.8cm2/Vs。

開發出上述成果的南加州大學電子工程系周崇武教授表示，原來曾進行過將CNT TFT作為n型晶體管使用的研究，但進展不很順利。所以后來考慮將作為n型晶體管工作的InGaZnO TFT與p型CNT TFT相結合。周崇武教授說，結果証明“的確是絕配”。（作者：野澤 哲生，日經技術在線！供稿）