2014年07月15日15:55
【新聞鏈接】
IBM公司將在未來5年內投資30億美元，用於研發7nm工藝以后的半導體技術，現有半導體技術——硅技術的研發和硅以外候補技術的研發將同時進行。
IBM表示，在開發中會重視雲計算及大數據等最近不斷增長的應用領域所必須的內存帶寬的擴大、高速通信、終端的低功耗化等。
該公司指出，現在22nm工藝技術已實現實用化，14nm工藝及10nm工藝技術不久也將達到實用化，但“要實現2019年左右所需要的7nm工藝技術，則需要巨額投資和大量的技術革新”。為實現這一點，該公司將同時推進利用硅技術的7nm以后工藝，以及后硅時代的技術開發。
不過，研發的重點是后硅技術。因為IBM認為，“即使實現微細化也不能降低功耗、提高速度、降低成本的情況在2∼3代以后就會出現”。對於今后的硅技術研發，其定位是向后硅技術過渡的橋梁。
作為后硅時代的技術候補，IBM列舉了（1）碳納米管（CNT）、（2）石墨烯、（3)III-V族化合物半導體技術、（4）硅光子等。另外，作為新的計算原理，IBM還提到了量子計算機及模擬腦神經細胞的神經突觸計算機等。
在（1）CNT方面，IBM已成功提煉出純度高達99.99％的CNT，還成功制造出了通道長度為10nm的CNT晶體管。最近，還利用柵極長度為50nm的CNT晶體管制造出了2輸入CMOS NAND。
在（2）石墨烯方面，IBM於2013年下半年制造出了在4.3GHz頻率下工作的無線通信信號接收用前端IC。
IBM還在研發將（3）III-V族化合物半導體與CMOS技術相結合的技術，作為7nm工藝以后技術的有力候補。這種材料還有望實現耗電量隻有原來1/100的晶體管構造“TFET（tunnel FET）”。該公司已試制出了源極採用InAs、通道採用硅的TFET。
關於（4）硅光子，IBM表示，“兼容CMOS的硅光子技術已經研發了12年以上，已成功利用該技術制造出了含有波分復用器的收發器IC”。（作者：野澤 哲生，日經技術在線！供稿）
