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三星的立體NAND,全球率先用於高端個人電腦SSD

2014年07月25日08:56    

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三星電子於2014年7月1∼2日在韓國首爾舉辦了SSD新產品發布活動“2014三星固態硬盤全球峰會”(2014 Samsung SSD Global Summit)。此次發布的亮點產品是採用立體NAND閃存“Vertical NAND(V-NAND)”的高端個人電腦用SSD(圖1)。上市時間為2014年7月21日。該公司已從2013年12月開始OEM供應採用V- NAND的數據中心用SSD,但推出普通消費者用產品尚屬首次。

集成了“V-NAND”的300mm晶圓

耐用年數為10年,長達原來的兩倍

V-NAND是三星面向NAND微細化到達極限之后而開發的技術。三星並未採用微細化這一傳統方法,而是通過在晶圓工序中多層重疊存儲元 件,實現了大容量化和低成本化。特點是在構造上下了很大功夫,可一次形成多層存儲單元,而不是逐層形成存儲單元。東芝曾在立體 NAND“BiCS(Bit-Cost Scalable)”上倡導過這種理念。

圖1 利用立體NAND來改善性能

此次發布的SSD“Samsung SSD 850 PRO”,通過採用立體NAND“V-NAND”,獲得了比採用平面NAND的原產品更高的性能。(該表由日經BP半導體調查根據三星的資料編制)

三星在此次的發布會上強調了V-NAND的高性能。與20nm工藝平面型NAND(平面NAND)相比,“寫入速度可達到兩倍,可擦寫次數為2∼10倍,耗電量卻隻有1/2”(三星高級副總裁、閃存設計部門的Kye Hyun Kyung)。

據三星介紹,能夠實現高性能的原因是,存儲單元的材料及構造與平面NAND存在根本性的差異。V-NAND在絕緣性SiN膜而不是平面 NAND所使用的導電性多晶硅膜上儲存電子。而且,由於能夠在三維方向上獲得存儲容量,因此可以放寬水平方向的設計工藝(增大存儲單元的尺寸)。

三星稱,這些因素可使隨著閃存集成度的提高而增強的電氣性干擾(發生於存儲單元之間)小於平面NAND。因此,可減少寫入數據時的寫入/驗証注1)次數,從而提高寫入速度。

注1)驗証(Verify)是指用來確認數據是否被正確寫入的序列處理。

另外,因為存儲單元的尺寸可以增大,所以可保存的電子數量也會增加。一般來說,反復擦寫的次數越多,電子越容易泄露,但電子數量本來就很多,因此可以減輕 電子泄露對數據產生的影響。這樣便可增加擦寫次數。三星還通過隨著三維化而更改電路設計等措施,降低了耗電量。

此次發布的新產品“Samsung SSD 850 PRO”與原產品相比,寫入速度、擦寫次數及耗電量均獲得了改善。改善幅度尤其大的是擦寫次數(圖2)。能夠擦寫的數據總容量(TBW:total bytes written)的保証值提高了約一倍。耐用年數為10年,在普通消費者用SSD中,如此長的年限是沒有先例的。

圖2 擦寫次數和TBW獲得提高

據三星介紹,採用V-NAND的SSD與採用平面NAND的原產品相比,擦寫次數提高至2∼10倍。(該圖由日經BP半導體調查根據三星的資料繪制)

近期將導入3bit/單元

另一方面,V-NAND在成本競爭力方面還存在課題。2013年12月開始供應的SSD採用了24層重疊VNAND。此次通過增至32層提 高了集成度(單位芯片面積的bit密度),但“成本還算不上足夠低”(三星)。 要與最尖端的平面NAND進行成本競爭,必須將存儲單元的層數提高至48∼64層的水平。

三星還有一種方法來提高成本競爭力,那就是強化多值化技術。V-NAND此前一直採用MLC(2bit/單元),但在此次的發布活動上,三星就導入TLC(3bit/單元)表示,“近期將會有重大消息發布”。估計配備TLC型V-NAND的普通消費者用SSD最早將於2014年秋季實現產品 化。

即便如此,估計V-NAND仍需要一段時間才能滲透到存儲卡、智能手機、電腦等重視成本的市場。因此,三星打算同時推進NAND的微細化。目前已開始量產19nm工藝產品,計劃2014年7∼9月開始量產下一代工藝(16nm左右)產品。

東芝的戰略是否正確

三星向立體NAND轉型,宣布開始量產立體NAND,但到目前為止還隻有該公司一家。三星的最大對手——東芝-晟碟聯盟目前仍把重心放在微細化上,從2014年4月底開始量產15nm工藝平面NAND,計劃2015年仍把量產重心放在15nm工藝產品上。

關於立體NAND“BiCS”,2014年度內東芝還隻會進行樣品供貨,2015年度下半年才打算開始量產。東芝將優先考慮提高技術的成熟度,量產時“會實現其他公司追趕不上的芯片面積”(東芝社長田中久雄)。東芝要處於優勢地位,就必須能夠在短時間內消除與率先獲得客戶反饋的三星之間的差距。(作者:大下 淳一,日經技術在線!供稿) 

(責編:值班編輯、庄紅韜)

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