2013年08月14日10:23
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東芝代表董事社長田中久雄在8月7日的“2013年度經營方針說明會”上，介紹了該公司正在開發的3D NAND閃存“BiCS（Bit-Cost Scalable）”的量產計劃。說明會結束后，田中在接受記者的集體採訪時表示，BiCS的量產開始時間“尚未確定，但打算在本年度（2013年）末或下年度（2014年）初量產”。
田中在經營方針說明會上登台發言
田中強調了東芝的競爭優勢，稱BiCS的量產品“將實現其他競爭公司無法追隨的非常小的芯片尺寸（面積）”。因此，對於8月6日宣布開始量產3D NAND的韓國三星電子，他表示“希望大家不要隻抓表面上的量產晚了半年多這一點”。
在說明會的答記者問環節，田中對於東芝在未來NAND閃存技術開發競爭中的地位明確表示“充滿信心”。他還說：“我們不僅一直在微細化方面領先，包括（其他）技術方面素在內，我們都非常有信心。”
田中稱，東芝今后計劃“在BiCS之前先向1Ynm工藝及1Znm工藝推進微細化”。“對於目前正在量產的19nm第2代的下一代，也已有望實現微細化，現在在芯片尺寸方面能夠趕上甚至超越（三星發布的3D NAND）”，也就是說，“東芝的1Ynm∼1Znm工藝產品就完全能夠和三星的3D NAND抗衡”。
盡管東芝對繼續實現NAND閃存的微細化有著非同一般的自信，但同時也承認“1Znm工藝之后將會迎來物理性極限”。因此，該公司打算在2015年前后正式轉向3D NAND。（日經技術在線！ 供稿）
